本篇目录：
- 1、为什么运放大都用三极管而不用MOS管
- 2、mos管是什么原理,起什么作用的
- 3、IGBT单管和MOS管的区别,MOSFET是MOS吗?
- 4、BJT与MOS的区别
- 5、IBGT跟MOS管有什么区别?
为什么运放大都用三极管而不用MOS管
这主要是考虑到性价比，mos管高频性能很好，只是这种管子价格不菲，故厂家大都不愿采用。另外这种管子驱动方面较三极管略微复杂些，这也是厂家不愿采用的原因。
区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。
如果都是乙类，晶体管处于放大状态，此时三极管的效率要比MOS管高，主要原因是三极管基极对CE电流的控制能力要比MOS管强。
mos管是什么原理,起什么作用的
MOS管可以作为开关、放大器、稳压器等电路中的关键元件，其作用是控制电流的流动，从而实现电路的控制和调节。MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。
mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。
可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。
MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)是一种三极场效应晶体管，是电子学中常用的晶体管器件之一。它具有高电流增益、高电压驱动能力和低功耗等优点，广泛应用于电路设计中。
主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。
IGBT单管和MOS管的区别,MOSFET是MOS吗?
1、- MOSFET：MOSFET是一种场效应晶体管，它基于场效应原理工作。它有一个金属栅极、绝缘氧化物层和半导体材料。MOSFET适用于低电压和高频率应用。- IGBT：IGBT是一种绝缘栅双极性晶体管，它结合了MOSFET和双极性晶体管的特性。
2、IGBT焊机和MOS管有3点不同：两者的含义不同：IGBT焊机的含义：逆变过程需要大功率电子开关器件，采用绝缘栅双极晶体管IGBT作为开关器件的的逆变焊机成为IGBT逆变焊机。MOS管的含义：MOS管，是MOSFET的缩写。
3、单管IGBT属于绝缘门极晶体管 ，第四代逆变技术。相对MOS管皮实耐用，MOS场效应管，属于第三代逆变技术。多个MOS管串联，其中一个炸管其他全炸。效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
4、MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
BJT与MOS的区别
场效应管和三极管输入电阻的差异。场效应管是单极，三极管是双极。场效应管是电压控制电流源，控制电压和电流属于不同的支路，因而电压的求解一般不难，而三极管要先建立模型，然后进行电路分析，求解过程特别是计算很复杂。
MOSFET属于场效应管，放大原理与双极型晶体管有非常大的区别。BJT属于电流放大器件，以NPN为例，其IC= β * IB MOSFET属于电压控制放大器件，基本不消耗驱动电流，只与栅极电压相关，放大能力的指标叫跨导。
MOSFET是电压型控制器件，它的栅极电压决定着它的电流，不同的mosfet特性也不同，增强型、耗尽型的控制电压不同。
BJT一般是电流控制器件，而MOS型一般是电压控制器件。按工艺的不同，BJT可以分为同质结BJT和异质结BJT（称HBT： Heterojunction Bipolar Transistor）。
三极管和场效应管的主要区别在于三极管的放大或者开关功能依赖基极的电流分量。场效应管的放大和开关功能依赖于栅极的电压分量。其他还有开关时间特性的区别，一般晶体三极管大电流的开关速度远比不上场效应管。
所以一般的功率开关管会选择MOS管而不是BJT。不过MOS管并不是没有缺点的，由于MOS管的栅电容的天然缺点，会影响它的开关速度，同样用途的管子，一般BJT要比MOS的速度更快。
IBGT跟MOS管有什么区别?
IGBT单管和MOS管的区别：从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型。
IGBT焊机：MOS管：工作过程 MOS管：管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
你写错了，应该是IGBT。IGBT与MOS管都是栅电压控制漏电流的，电压控制电流型器件。二者的区别在于，IGBT是双极型器件，也就是在其导通时，是两种载流子同时参与导电；而MOS管是单极型器件，导通时，只有一种载流子参与导电。
到此，以上就是小编对于mos管选用的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
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