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ddr3和ddr3l什么区别
1、区别是：（1）两者在工作电压不一致。DDR3L电压为35V一般频率1333，DDR3电压为5V一般频率1600。（2）两者在兼容度不同。大多数情况下兼容，但在Haswell平台下却不完全兼容Intel Hasw。（3）两者的功耗区别。
2、ddr3l和ddr3的区别是：功耗区别、性能区别、价格区别。功耗区别：标准的DDR3内存采用5V工作电压，而DDR3L内存则采用的是35V工作电压。
3、性能区别 DDR3L内存功耗相比DDR3标准内存低了15%，功耗的降低，自然会造成性能的下降。通过测试，DDR3L内存性能要低于DDR3内存，不过两者差距并不算大。
4、工作电压区别：DDR3L工作电压为35V，DDR3工作电压为5V。
5、区别：工作电压不同 DDR3L电压为35V一般频率1333，DDR3电压为5V一般频率1600。
6、不同的兼容性。 两者在大多数情况下是兼容的，但它们与Haswell平台下的Intel Haswell处理器不完全兼容。 为了更好地降低功耗，支持的内存类型仅为DDR3L，它与DDR3不兼容。功耗差异。
求大佬指导!关于电路的一个小问题
1、本题中求端口等效电路，也就是求端口的开路电压Uoc=Uab、端口输入电阻Ri两个参数。求Uoc，端口开路，受控电压源6i1也是开路的，其中没有电流流过，所以6Ω的电流和3Ω的电流是相等的，二者是串联关系。
2、常用的电平标准主要有TTL，LVTTL，CMOS，RS232等。对于TTL电平，其输入门闩值分别是0.8V和0V，即输入高电平范围是0--5V，低电平范围是0--0.8V，如果是TTL电路你这个高低电平就满足要求不需处理。
3、电流源串在电路里，支路电流（大小、方向）由电流源决定 电压源并在电路里，支路两端电压（大小、极性）由电压源决定，电流方向还得看受不受别的电流源左右。；这个图，流过电阻的电流由电流源决定，电流是逆时针的。
4、首先，你的说法“从外面走”、“从里面走”就是不正确的说法；其次，i是参考方向，得到i的值为正，则实际电流方向与参考方向一致；如果为负，实际方向与参考方向相反；第三，你的KVL回路电压方程，是错误的。
数字电路中逻辑电平的高低是怎样规定的
1、在数字电路中，般规定低电平为0~0.25V，高电平为5~5V。低电平表示0，高电平表示1。
2、理想的数字电路电平是这样的：输入小于1/2VCC(电源电压)就是低电平，反之是高电平。实际的器件是做不到的，也不实用，如果输入电压在1/2VCC附近有干扰，就会发生错误的输入信号。
3、高电平电压大于5伏，用数字1表示；把电压小于0.3伏的电压规定为逻辑低电平，用数字0表示。数字电平从低电平（数字“0”）变为高电平（数字“1”）的那一瞬间（时刻）叫作上升沿。
4、在正逻辑中，规定用高电平用“1”表示，低电平用“0”表示。数字信号：数字信号是时间和幅度上都不连续变化的离散的脉冲信号，用数字信号对数字量进行算术运算和逻辑运算的电路称为数字电路，也称为数字逻辑电路。
5、这个是不确定的，根据电源电压的不同而不同，一般来说，当电平低于电源电压1/3时，即为逻辑低电平，大于电源电压的2/3时，即为高电平。例如，当使用5V供电时，低电平一般指低于2V，高电平一般高于3V即可。
6、高电平是指在逻辑电平中，保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，如果输入的电平高于输入高电压（Vih），这个时候我们就说这个电平是高电平。
换内存电压不一样会怎么样?
1、一般情况下只要两根内存主频一致，基本就不会出什么问题，有的兼容性好的话，就算频率有差也能跑起来，会自动降频到一个频率。至于电压，只要主板供电没问题，可以满足就没事。
2、没有太大的影响，但最好不要用不一样的 内存条 ，这会增加 笔记本电源 的消耗。兼容问题是很大的问题，但不是说不是同牌子就一定不兼容，需要用户自己检测。
3、会，直接影响是造成无故死机，蓝屏，容易引起主板驱动丢失，端口丢失无法辨别某些硬件，对电压基本无影响电流本身不大，有电容做缓冲。
4、：兼容问题是很大的问题，但不是说不是同牌子就一定不兼容，需要用户自己检测。2：电压不一样大多是因为内存条频率不一样。
5、电压不同的内存是不能一起用的（除非的主板支持），要不然最小的损失是一个内存烧掉，最大的损失是主板烧掉。
6、而IVY平台以前的笔记本内存控制器，不支持DDR3L规范，故不能支持低压内存。只能使用标压内存工作；DDR3与DDR3L内存，在多数情况下是兼容的，可以混搭使用，系统自动分配两条内存不同电压。
到此，以上就是小编对于15v电压的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
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