mos场效应管标准（mos场效应管测量方法）-南京晰视电子——松下安防监控产品代理、三星安防监控产品代理、博世报警代理、亚安代理、安讯士代理、Computar镜头代理、HID门禁系统代理

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应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。

场效应管测量好坏方法：使用万用表测试、使用示波器测试。使用万用表测试最简单的方法是使用万用表测试场效应管的导通情况。

首先，电压测试是测量电视场效应管性能的一种重要方法。通过将电压源连接到电视场效应管的源和漏极，可以测量管子在特定电压下的电流响应。这个测试可以确定管子是否正常工作，并且是否能够在电流变化下保持稳定。

耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

导通电阻是温度敏感参数，在25 C和150 C间，它的值近似变为两倍。RDS(ON) 栅源导通电阻与温度的对应关系的图在每份数据说明书中都包含，如图8。

MOS管主要参数如下：开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道MOS管，VT约为3～6V；-经过工艺上的改良，能够使MOS管的VT值降到2～3V。

①、关于以上这K3878属于N-M0SFET场效应管，其参数//耐压：900V//电流：9A//功率：150W。本场效应管可用2SK3875-01代替即可。

①、关于以上这K3878属于M0SFET N通道金属氧化物场效应管，其参为//耐压：900V//电流：9A// 。②、关于以上那BT40T60场效应管参数是//耐压：600V//电流：40A// 。

K3878是N沟道场效应管，耐压是900V，电流9A，耗散功150W。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

若阻值均比较小(约5--10欧)，再将红、黑表笔交换测量一次。如阻值均很大，属N沟道管，且黑表接触的管脚为栅极G，说明原先的假定是正确的。同样也可以判别出P沟道的结型场效应管。

不能，性能参数不同，性能高的可以代替性能低的，但要注意效应管周围各电子器件的相关性能参数变化值及后面电路部分受到的影响。

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