本篇目录：
- 1、为什么p型半导体比n型半导体更复杂?
- 2、如何确定掺杂是p还是n
- 3、P型和N型的单晶硅片有什么不同?
- 4、掺杂剂的简介
- 5、怎样判断半导体是N型还是P型?具体阐述。谢谢～
- 6、【半导体基础/器件】11掺杂的化学键解释+能带图解释(非本征半导体)_百度...
为什么p型半导体比n型半导体更复杂?
（一）、N型半导体 由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。
导电特性不同 P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。N型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。
P型半导体具有过多的带正电的空穴，导致与N型相比导电性较低。电荷载流子的这种差异导致电子设备中的行为形成对比。N型半导体允许电子轻松流动，而P型半导体促进空穴的移动。
p型半导体则在制造复杂的集成电路中具有重要的应用。总之，p型半导体和n型半导体在制造和应用中的区别在于它们携带的电子类型和控制载流子的方式。
形成原因不同 在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑。在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体；受主杂质：周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟。
如何确定掺杂是p还是n
1、因为N型半导体载流子是电子，故根据电流的方向和两个侧面的电位高低就可以进行判断。
2、载流子类型区别：n型掺杂中，被引入的外来元素（磷或砷）会提供额外的自由电子，成为主要载流子。自由电子负责在导体中传递电荷。
3、B、Al外层是三个价电子比Si或Ge少一个，形成空穴导电，是P型半导体；P、As外层是5个价电子比Si或Ge多一个，形成电子导电，是N型半导体。价带：与价电子能级相对应的能带称为价带。
4、P 型半导体通常是硼等三价元素掺杂到硅或锗等四价元素的半导体中形成。掺杂后，杂质原子会带入一个少一个电子的空穴，这些空穴是带正电荷的。N 型半导体则是通过向硅或锗等的半导体中掺入磷或氮等五价元素来形成。
5、对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加。
6、在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。N型半导体也称为电子型半导体。
P型和N型的单晶硅片有什么不同?
掺杂材料不同：P型和N型单晶硅片中，掺杂的材料不同。P型单晶硅片中掺杂的是三价元素（如硼或铝），掺杂后形成的杂质原子会失去一个电子，留下一个空位或“空穴”。
N型单晶硅和P型单晶硅的主要区别在于掺杂工艺、制作成本和性能。掺杂工艺：由于掺杂工艺的区别，单晶硅片可分为P型和N型两类。P型制作工艺简单，成本较低。N型工艺要求更高，成本更高。
P型和N型单晶硅晶片之间的差异如下：n型是电子传导，P型是空穴传导。单晶硅中的磷掺杂是n型的。磷掺杂越多，自由电子越多，导电性越强，电阻率越低。单晶硅中的硼掺杂是P型的。硼掺杂越多，取代硅产生的空穴越多。
N型和P型单晶硅片的区别主要为：掺杂的元素不同：单晶硅中掺磷是N型，单晶硅中掺硼为P型。导电不同：N型是电子导电，P型是空穴导电。
掺杂剂的简介
1、掺杂过程实质上是导电聚合物的一个氧化或还原过程，所使用的氧化剂或还原剂在掺杂过程中称为掺杂剂[1] 。
2、掺杂是将少量杂原子（掺杂剂）引入半导体中，以改变其电学性质的一种方法。
3、掺杂时掺入的元素叫磷是硅的n或掺杂剂。根据查询相关信息显示，具有氧化能力的掺杂剂称为p型掺杂剂，是电子接收体，相反，具有还原能力的掺杂剂称为n型掺杂剂，是电子给予体。
怎样判断半导体是N型还是P型?具体阐述。谢谢～
因为N型半导体载流子是电子，故根据电流的方向和两个侧面的电位高低就可以进行判断。
P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。
N型半导体，也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。
在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑。在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体；受主杂质：周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟。
p型半导体指的是半导体材料中掺杂了少量杂质，使得材料中出现电子空穴，因而导电性与晶体内的空穴浓度成正比。p型半导体材料的电导率主要来自于具有电子空穴的空穴。
【半导体基础/器件】11掺杂的化学键解释+能带图解释(非本征半导体)_百度...
杂质浓度：杂质浓度越高，掺杂原子越多，费米能级越靠近掺杂原子的能级，禁带宽度缩小； 掺杂类型：不同的杂质原子掺入半导体中，对费米能级的位置有不同的影响。
半导体的掺杂是为了提高半导体器件的电学性能，半导体的很多电学特性都与掺杂的杂质浓度有关。纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的，但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少，而且容易受到外间因素如温度等的影响。
价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子（图3）。这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。存在受主杂质时，在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。半导体掺杂后其电阻率大大下降。
半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构，所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿(ZnS)的结构。
到此，以上就是小编对于什么是p型掺杂的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
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